MOS频率限制因素和截止频率

MOSFET有两个基本频率限制因素分别是:

  1. 沟道运输时间
  2. 栅或电容的充电时间

沟道运输时间:

简单的说就是载流子在沟道的运输时有时间的。当沟道长度除以载流子在饱和区的漂移速度就是其运输时间。而这个时间限制则可以就是MOSTEF的最大频率限制因素之一。因为,不论设计在怎么快,这个运输时间是一定存在的。

栅或电容的充电时间:

截止频率定义为电流增益为1的时候的频率。根据米勒电容等效原理,输入端的电容将会很大,而输出端的电容则可以忽略。于是用Cg来等效输入栅极电容。

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